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砷化镓是什么晶体结构
1、属闪锌矿型晶格结构，晶格常数65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度4电子伏。砷化镓，化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
2、镓砷(GaAs)是一种III-V半导体材料，其晶体结构属于闪锌矿型。在闪锌矿型晶体结构中，每个镓（Ga）原子都被四个砷（As）原子环绕，形成一个四面体。同样，每个砷原子也被四个镓原子环绕，也形成一个四面体。
3、砷化镓是一种重要的半导体材料。属于第八族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，化学式GaAs。黑灰色固体，熔点1238摄氏度，它在600摄氏度以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
4、砷化镓（GaAs）是一种非常重要的晶体材料，它具有锗石（Zincblende）晶体结构。锗石晶体结构是一种立方晶体结构，也称为立方密堆积结构。在锗石结构中，镓（Ga）和砷（As）原子通过共享化学键形成晶格。
5、所以砷化镓是原子晶体。原子晶体是指相邻原子之间只通过强烈的共价键结合而成的空间网状结构的晶体。在原子晶体这类晶体中，晶格上的质点是原子，而原子间是通过共价键结合在一起，这种晶体称为原子晶体。
6、砷化镓(GaAs)是一种常见的III-V族半导体材料。在其晶体结构中，每个镓原子周围最近的邻居是4个砷原子，并且每个砷原子周围最近的邻居是4个镓原子。
为什么gaas是直接带隙材料
1、一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。
2、硅材料的禁带宽度很窄，本征激发比较容易，电子跃迁时发射和吸收的光子能量比较低，波长较长，属于红外光的范围，不在可见光的波长范围内，因此不易发光。
3、直接带隙半导体（Directgapsemiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。
GaAs的基本性质
Gallium arsenide。是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物，黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。
镓特殊的物理性质，使其成为一种性能优良的电子材料。
性质：熔点-87℃。沸点50.5℃。密度124g/cm3。纯度≥9999％。采用精密精馏和配位体置换技术提纯。是可燃、有毒的液体。具有很强的大蒜气味。
镓的基本特性 镓是一种金属元素，具有银白色的外观。它的特点包括低熔点（276摄氏度）和低汽化温度，使其在室温下为液态。镓还具有良好的导电性和导热性能，同时也具有一些独特的特性，如与玻璃表面形成凹陷等。
GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。砷化镓可作半导体材料，性能比硅更优良。
GaAs中起施主作用的是
1、GaAs中起施主作用的是具有施主型的深能级；这种氧原子也可以与其他点缺陷构成复合的点缺陷，都起着施主作用。
2、a）在GaAs、GaP等Ⅲ-Ⅴ族半导体中，Ⅵ族元素是施主杂质，替代晶格上的Ⅴ族原子。
3、elo指ELO中心，是半绝缘体GaAs中容易出现的一种缺陷中心。它实际上就是取代了晶格中As原子的氧原子，这是一种点缺陷，具有施主型的深能级；这种氧原子也可以与其他点缺陷构成复合的点缺陷，都起着施主作用。
砷化镓集成电路主要用于什么领域?
半导体行业主要是做集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域。半导体行业隶属电子信息产业，属于硬件产业，以半导体为基础而发展起来的一个产业。
主要是用来做半导体器件。种类非常多。 应用也极其广泛。现在的电子电路里面基本上离不开半导体器件， 咱们用的电脑手机，里面的集成电路就是用半导体做的，主要是用 硅做材料。各种电器里面的电路也都要用到半导体器件。
砷化镓的物理特性决定了以它为材料的半导体具有高能带，高截止频率，高功率等特点。适合高频率应用。在射频微波领域，相比cmos，砷化镓还有很广泛的应用。
集成电路它是半导体技术发展中最活跃的一个领域，已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处理器，或完成其它较复杂的电路功能。
锗、硅、硒、砷化镓、许多金属氧化物和金属硫化物等。其导电性介于导体和绝缘体之间的半导体称为半导体。半导体有一些特殊的性质。
适合于制造微波体效应器件、高效红外发光二极管和半导体激光器，因而砷化镓是一种很有发展前途的半导体材料。随着大规模集成电路制造工艺水平的提高，半导体化学的研究领域和对象也将不断地扩展。
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